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俄羅斯斥資384億美元,目標2030年實現國產28nm工藝

來源: | 發布日期:2022-04-19 瀏覽量:

據cnbeta消息,近日,俄羅斯政府宣布了新的半導體計劃,該計劃作為俄全新微電子開發計劃的初步版本,預計到2030年投資3.19萬億盧布,約合384.3億美元。該資金將用于開發本土半導體生產技術、國內芯片開發、數據中心基礎設施、本土人才培養及自制芯片和解決方案的市場推廣。

半導體制造方面,俄計劃投資4200億盧布開發新的制造工藝和后續改進。短期目標之一是在2022年底前使用90nm制造工藝提高本地芯片產量,更長期目標之一是到2030年實現28nm芯片工藝制造。

基礎設施方面,計劃投資4600億盧布,到2030年全國數據中心預計由目前的70個增加到300個。此外,俄還計劃在2022年底前建立一個針對“國外解決方案”的逆向工程項目,將相關制造轉移到國內。據悉,該計劃將于4月22日敲定并提交俄總理正式批復。

俄烏戰爭爆發后,美國及其盟友國發起了對俄羅斯的9600多項制裁,相關針對俄羅斯的出口約束涉及半導體、計算機、電信、信息安全設備、激光器和傳感器等多方面,而這些產品中的相當一部分,在此之前,并未被列入受到管制的范圍之內。而國際清算銀行也將在沒有美國出口許可的情況下,禁止為這些類型的產品與俄羅斯的出口交易提供結算服務。

前段時間,美國還對俄羅斯最大芯片制造商米克朗控股公司、軟件和通信技術公司AO NII-Vektor、計算機公司T-Platform、MERI等實施了制裁。并且,原本為俄羅斯芯片代工廠的臺積電和三星等,在美國禁令之后將不再為俄羅斯企業服務。





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